脫臼
介紹
本研究開發了水平堆疊的純Ge奈米片環柵場效電晶體（GAA FET）。有意生長大晶格失配的Ge/Si多層膜作為起始材料，而不是Ge/GeSi多層膜，以獲得Ge和Si材料特性的巨大差異的優勢，從而實現選擇性刻蝕。平的Ge/Si多層在低溫下生長以防止島狀生長。由於優異的選擇性，蝕刻後Ge奈米片的形狀幾乎保持不變。此外，由於不存在Ge/Si界面，並且由於界面處失配位錯的伸長而導致位錯線張力消失，因此在懸浮的Ge奈米片中觀察到位錯。與位錯線張力相比，懸浮Ge奈米片的形成氣體退火導致滑動力顯著增加； 由於這種條件和奈米片的小尺寸，位錯很容易被去除。基於此結構，描述了透過退火從懸浮Ge奈米片結構中去除位錯的新機制，從而使結構表現出優異的閘極控制和電性能。