介紹
AlGaN/GaN HEMTs因其高功率處理能力成為射頻和微波功率放大器的理想選擇。然而，作為耗盡型元件的傳統AlGaN/GaN HEMTs具有約-4 V的負臨界電壓，限制了其應用和溫度穩定性。因此，轉換通道為增強模式至關重要。目前有兩種主要技術選擇：乾式蝕刻產生凹槽柵極通道，或利用氟離子注入柵極下AlGaN磊晶層。然而，這兩種方法均涉及高能量離子，可能損傷AlGaN/GaN基板晶格，需要額外的熱處理。本計畫提出一種新方法，使用含氟化物分子的單層摻雜，能精確控制臨界電壓，避免晶格損傷。這種製程可在製造階段修改臨界電壓，增強製程靈活性。未來一年將優化臨界電壓，製作AlGaN/GaN FinFET元件，進一步驗證此新型臨界電壓調整製程的性能和可靠性，有望推動次世代晶體管的發展，應用於6G通訊和低軌衛星電路。該計畫成功有望強化台灣在半導體產業的全球領先地位。