介紹
金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是一種用於製造單晶或多晶薄膜的化學氣相沉積方法。在MOCVD中，超純前驅氣體通常與非反應性載氣體一同被注入反應器。MOCVD可以生長包含III族和V族、II族和VI族、IV族的薄膜。 本研究選用Simcenter STAR-CCM+ CFD software來進行MOCVD數值模擬。通過改調整以下邊界條件，包括腔體的溫度與壓力、輸入反應物量的比例與流量，以及施加到晶圓上的旋轉速度，旨在實現產物在晶圓上更均勻的沉積。研究目標是透過數值模擬獲得更優化的製程參數。